ZIM

Aby tranzistor pracoval ako zosilňovač, musí byť emitorový priechod zapojený a) v priepustnom smere b) na smere zapojenia nezáleží, nakoľko súčiastka má 2 PN priechody c) v závernom smere

a.)

Ak Wk je menšie ako Wp, na styku kov - polovodič P, ohmický kontakt antihradlová vrstva a) antihradlová vrstva b) vznikne PN prechod c) ohmický kontakt

a.)

Ak Wk je väčšie ako Wp, na styku kov - polovodič P, a) ohmický kontakt b) antihradlová vrstva c) vznikne PN prechod

a.)

Ak je PN priechod polarizovaný v priamom smere, a) šírka hradlovej vrstvy sa zmenšuje b) šírka hradlovej vrstvy sa zväčšuje c) tvar PN priechodu sa vychyľuje v smere vzniknutého magnetického poľa

a.)

Ak je segregačný koeficient nečistoty v polovodiči menší ako 1, potom: a) väčšina prímesí ostáva v kvapalnej fáze b) prímesi v monokryštále polovodiča sa vo vzorke rozdelia homogénne c) koniec vzorky čistejší ako jeho ostatná časť

a.)

Alkalické kovy sú a) chemicky najreaktívnejšie b) minimálne reaktívne c) chemicky inertné

a.)

Celkové straty v magnetických materiáloch sa delia na a) hysterézne (magnetizačné) straty, straty vírivými prúdmi a zvyškové straty b) ohmické straty, Jouleove straty a kapacitné straty c) impulzné straty, indukčné straty a ohmické straty

a.)

Currieho teplota je teplota typická pre: a) feroelektrické a feromagnetické látky b) nepolárne izolanty c) diamagnetické látky

a.)

Dielektrické materiály sa používajú pre a) konštrukciu kondenzátorov b) konštrukciu transformátorov c) konštrukciu kondenzátorov a cievok

a.)

Dielektrické straty v nepolárnych izolantoch sú len a) vodivostné b) vodivostné a polarizačné c) ionizačné

a.)

Dielektrické straty v polárnych izolantoch sú a) vodivostné a polarizačné b) ionizačné c) len vodivostné

a.)

Dielektrické straty závisia od: a) teploty, napätia, frekvencie, permitivity a stratového činiteľa b) teploty, hrúbky izolantu, vlhkosti, permitivity a stratového činiteľa c) kapacity, vlhkosti, permitivity a stratového činiteľa

a.)

Difúzia je opísaná a) Fickovymi zákonmi b) Schrödingerovou rovnicou c) Ohmovym zákonom

a.)

Diódový jav vzniká za určitých podmienok na styku a) polovodiča s kovom b) kovu a dielektrika c) polovodiča a dielektrika

a.)

Donorom je u kremíkových polovodičov prvok a) z 5. skupiny b) zo 4. skupiny c) z 3. skupiny

a.)

Elektrická pevnosť vzduchu s rastúcou koncentráciou vody a) klesá b) nemení sa c) stúpa

a.)

Elektrická vodivosť izolantov je priamo úmerná a) počtu nosičov nábojov, náboju a pohyblivosti nábojov b) počtu nosičov nábojov a náboju c) počtu nosičov nábojov a intenzite elektrického poľa

a.)

Elektrická vodivosť u kovov s rastom teploty a) klesá b) nemení sa c) stúpa

a.)

Elektrická vodivosť u vlastných polovodičov s rastom teploty a) stúpa b) nemení sa c) klesá

a.)

Elektronegatívne plyny majú a) veľkú elektrickú pevnosť b) malú elektrickú pevnosť c) veľkú elektrickú vodivosť

a.)

Elektrónová polarizácia dielektrík je: a) pružná b) migračná c) relaxačná

a.)

Epitaxia je a) rast monokryštalickej polovodičovej vrstvy na monokryštalickej podložke b) spôsob odstraňovania vrstiev substraktívnou metódou c) metóda výroby monokryštalických ingotov

a.)

Epitaxia je spôsob vytvárania monokryštalických tenkých vrstiev z a) plynnej alebo kvapalnej fázy na monokryštálových podložkách b) taveniny skla na monokryštálových podložkách c) tuhej fázy na monokryštálových podložkách

a.)

Ettignshausenov jav je a) vznik priečneho rozdielu teplôt vo vzorke polovodiča, ak ňou prechádza elektrický prúd a súčasne sa nachádza v magnetickom poli b) vznik priečneho rozdielu teplôt vo vzorke polovodiča, ak ňou prechádza magnetické pole c) vznik napätia vo vzorke polovodiča, ak ňou prechádza magnetické pole

a.)

Feromagnetické látky sa po prekročení (Curieho) feromagnetickej teploty stávajú a) paramagnetikom b) ferimagnetikom c) diamagnetikom

a.)

Hladiny dovolených energetických pásiem sú oddelené: a) hladinami zakázaných energií. b) vodivostnými hladinami. c) valenčnými hladinami.

a.)

Hodnota prúdu ideálnej V-A charakteristiky PN priechodu v závernom smere závisí na a) koncentrácii minoritných nosičov náboja b) koncentrácii majoritných nosičov náboja c) kryštalografickej orientácii a hrúbke základového polovodiča

a.)

Ideálny izolant je látka, ktorá a) neobsahuje žiadne voľné nosiče náboja, a teda je dokonale nevodivý b) obsahuje určité množstvo voľného náboja, a je teda má konštantnú zvyškovú vodivosť c) obsahuje určité množstvo voľného náboja, avšak pre nízku koncentráciu prispieva k vodivosti zanedbateľnou mierou

a.)

Indukovaný dipólový moment častice závisí na a) polarizovateľnosti b) relatívnej permitivite c) vodivosti

a.)

Ionizačná krivka je v technickej praxi využívaná na a) posúdenie kvality izolácie elektrických strojov b) posúdenie úrovne ionizácie kvapalného izolantu c) posúdenie elektrickej pevnosti vzduchu

a.)

Ionizačná krivka je závislosť činiteľa dielektrických strát (tg delta) a) od napätia pre tuhý izolant obsahujúci dutinky b) na teplote pre kvapalný izolant c) na teplote pre tuhý izolant

a.)

Izolanty sú látky, ktorých hlavnou vlastnosťou je: a) schopnosť klásť veľký odpor elektrickému prúdu b) schopnosť klásť veľký odpor elektrickému prúdu a magnetickému poľu c) schopnosť indukovať magnetické pole

a.)

Izolanty sú využívané najmä a) na izoláciu vodivých telies b) ako dielektriká c) na tienenie elektromagnetického poľa

a.)

Kapacitu PN prechodu využívajú polovodičové prvky a) varikapy b) tranzistory c) termočlánky

a.)

Klasickú zliatinovú (legovaciu) metódu je možné charakterizovať ako: a) zatavenie dotovacieho materiálu na polovodičovej platničke, čím vznikne PN priechod b) vytváranie tenkých vrstiev odparovaním vyhrievaného materiálu vo vysokom vákuu c) dodávanie iónov, ktoré sú potrebné na rozprašovanie terčíkového materiálu z iónového zdroja

a.)

Kontaktný potenciál vzniká: a) vodivým spojením dvoch rozličných kovov b) pripojením zdroja elektrického napätia na PN priechod c) vodivým spojením dvoch materiálov s rovnakými Seebeckovymi koeficientmi

a.)

Krivka prvotnej magnetizácie je a) charakteristika feromagnetika pri jeho stacionárnom magnetovaní z odmagnetovaného stavu (H = 0, B = 0) až do nasýtenia b) charakteristika dielektrika pri jeho stacionárnom magnetovaní z odmagnetovaného stavu (H = 0, B = 0) až do nasýtenia c) charakteristika paramagnetika pri jeho stacionárnom magnetovaní z odmagnetovaného stavu (H = 0, B = 0) až do nasýtenia

a.)

Ktorá z možností najlepšie charakterizuje plazmové naprašovanie a) kladné ióny, ktoré vzniknú tlejivým výbojom, bombardujú terčík a vyrážajú z neho atómy naprašovacieho materiálu b) voľné elektróny urýchľované elektromagnetickým poľom vyrážajú materiál terčíka c) epitaxia iónov naprašovaných na terčík

a.)

Magneticky tvrdé ferity sa používajú a) pri konštrukcii motorov s vysokou účinnosťou b) v mikrovlnnej technike c) v telekomunikačnej technike

a.)

Magnetorezistenčný (Gaussov) jav je a) závislosť rezisitivity polovodičov od indukcie MG poľa kolmého na vektor prúdovej hustoty b) závislosť rezisitivity polovodičov od teploty c) závislosť rezisitivity polovodičov od prúdovej hustoty

a.)

Majoritnými nosičmi náboja v prímesovom polovodiči typu P sú a) diery b) voľné ióny c) elektróny

a.)

Makroskopickou mierou polarizovateľnosti je a) relatívna permitivita b) elektrická pevnosť c) elektrická vodivosť

a.)

Makroskopická polarizácia vyjadruje a) hustotu elektrických dipólov b) vplyv pôsobenia frekvencie c) vplyv pôsobenia teploty

a.)

Medzi diamagnetiká patrí a) zlato a striebro b) kyslík a platina c) železo a kremík

a.)

Medzi hlavné materiálové charakteristiky magnetických materiálov patrí: a) magnetická susceptibilita, resp. relatívna permeabilita b) relatívna permitivita c) merná elektrická vodivosť

a.)

Medzi paramagnetiká patrí a) kyslík a platina b) železo a kremík c) zlato a striebro

a.)

Minoritnými nosičmi náboja v polovodičoch typu N sú a) diery b) elektróny c) elektróny aj diery, zúčastňujúce sa na vodivosti približne rovnakou mierou

a.)

Nosičmi náboja v prípade reálnych izolantov sú a) voľné ióny (kladné aj záporné) a voľné elektróny b) iba voľné elektróny c) voľné ióny (len záporné) a voľné elektróny

a.)

PN priechod je možné vyrobiť napríklad a) epitaxiou b) pásmovým tavením vo vákuu c) pritisnutím polovodiča P na polovodič N v ochrannej atmosfére

a.)

PN priechod je polarizovaný v priamom smere ak pre majoritné nosiče náboja platí : a) elektróny z polovodiča typu N smerujú do polovodiča typu P, a zároveň diery z polovodiča typu P smerujú do polovodiča typu N b) elektróny aj diery navzájom rekombinujú v hradlovej oblasti, čím dochádza k nárastu celkového prúdu c) elektróny z polovodiča typu P smerujú do polovodiča typu N, a zároveň diery z polovodiča typu N smerujú do polovodiča typu P

a.)

PN priechod využívajú kapacitné diódy a) v závernom smere b) v priepustnom smere c) v móde lavínového prierazu

a.)

Paramagnetické látky majú magnetickú susceptibilitu k: a) k > 0 b) k = 0 c) k < 0

a.)

Paschenov zákon hovorí, že prierazné napätie plynných izolantov závisí a) od súčinu tlaku plynu a vzdialenosti medzi elektródami b) od súčinu frekvencie a vzdialenosti medzi elektródami c) od vlhkosti a teploty

a.)

Podmienkou pre tunelový prieraz PN prechodu a) je dostatočne tenká hradlová vrstva b) ionizácia nosičov nábojov v priepustnom smere c) je dostatočne hrubá hradlová vrstva

a.)

Podmienkou pre vznik tunelového prierazu je: a) podkritická šírka hradlovej vrstvy b) minimálna driftová rýchlosť nosičov náboja c) minimálna pohyblivosť nosičov náboja

a.)

Podstata diódového javu vyplýva z a) V-A charakteristiky PN priechodu b) časovej závislosti striedavého napätia c) časovej závislosti jednosmerného prúdu

a.)

Podstata zosilnenia tranzistora spočíva v tom, že majoritné nosiče náboja, ktoré sú do bázy vstrekované malým emitorovým napätím, a) sa stávajú minoritnými nosičmi a pohybujú sa ku kolektoru prevážne difúziou b) sa stávajú majoritnými nosičmi a pohybujú sa ku kolektoru prevážne driftovaním c) vplyvom vysokého segregačného koeficientu začnú anihilovať s minoritnými nosičmi náboja

a.)

Pohyblivosť molekúl v polárnych kvapalinách a) súvisí s viskozitou a teplotou b) súvisí s frekvenciou a teplotou c) nesúvisí s teplotou

a.)

Polarizácia ktorého druhu má pomalý priebeh: a) relaxačná b) pružná c) rezonančná

a.)

Polovodiče, v ktorých sa uvoľňujú elektróny ionizáciou donorov, sú nazývané a) polovodiče typu N b) vlastné polovodiče c) polovodiče typu P

a.)

Polovodiče, v ktorých voľné nosiče elektrického náboja vznikajú ionizáciou akceptorových prímesí, sú nazývané a) polovodiče typu P b) vlastné polovodiče c) polovodiče typu N

a.)

Polárne kvapalné izolanty majú polarizáciu a) elektrónovú a dipólovú b) dipólovú a iónovú c) elektrónovú a iónovú

a.)

Polárne tuhé dielektriká a) nie sú vhodné pre vysoké frekvencie b) sú vhodné pre všestranné použitie z pohľadu frekvencie c) sú vhodné pre vysoké frekvencie

a.)

Poruchy kryštálovej mriežky polovodičových súčiastok dobu života minoritných nosičov náboja a) skracujú b) neovplyvňujú c) predlžujú

a.)

Pre vodiče platí: a) pokles vodivosti s rastom teploty. b) vzrast vodivosti s rastom teploty. c) rast vodivosti po istú hodnotu teploty potom je vodivosť záporná.

a.)

Pri Curieho teplote dochádza: a) k zániku doménovej štruktúry b) k zániku elektrónových dipólov c) k neutralizácii elektrických nábojov

a.)

Pri zrážkach elektrónov s iónmi mriežky a) elektróny odovzdávajú časť svojej energie, čím sa zvyšujú tepelné kmity mriežky. b) elektróny pokračujú vo svojom pohybe bez zmeny energie. c) elektróny získajú časť energie, čo spôsobí nárast prúdu.

a.)

Produktom Czochralského metódy výroby monokryštálu je a) ingot b) wafer c) whisker

a.)

Rekombinácia nosičov náboja v polovodičoch je a) sprevádzaná vyžiarením kvanta energie b) stav, kedy dochádza k posunu kryštalografických rovín c) sprevádzaná absorpciou žiarenia

a.)

Rekombinácia nosičov náboja v polovodičoch je: a) proces zániku voľných nosičov náboja b) proces vzniku voľných nosičov náboja c) proces pri ktorom dochádza k uzavretiu elektrónovej štruktúry polovodiča

a.)

Rezistivita kovov (merný elektrický odpor): a) s rastúcim obsahom nečistôt rastie b) ostáva konštantná c) s rastúcim obsahom nečistôt klesá

a.)

Rovnica elektrickej neutrality vo vlastnom polovodiči hovorí, že: a) koncentrácia dier je rovná koncentrácii voľných elektrónov b) koncentrácia voľných elektrónov je omnoho väčšia ako koncentrácia dier c) koncentrácia dier je omnoho väčšia ako koncentrácia voľných elektrónov

a.)

Rozpustený epitaxant je privedený do stavu presýtenia roztoku a po kontakte so substrátom sa zráža vplyvom a) zníženia teploty b) zníženia viskozity c) zvýšenia tlaku

a.)

S rastom teploty elektrická vodivosť kvapalných izolantov a) rastie, lebo rastie pohyblivosť a exponenciálne narastá koncentrácia b) rastie, lebo sa zvyšuje viskozita a stupeň disociácie častíc c) klesá, lebo častejšie dochádza k zrážkam voľných nosičov nábojov

a.)

S rastúcou teplotou relatívna permitivita nepolárnych kvapalín: a) lineárne klesá b) nemení sa c) lineárne rastie

a.)

S rastúcou teplotou relatívna permitivita polárnych kvapalín: a) v určitom intervale rastie b) nemení sa c) lineárne klesá

a.)

Seebeckov jav je používaný napríklad a) na priamu premenu tepelnej energie na elektrickú b) na stabilizáciu prúdu c) k realizácii polovodičových chladiacich článkov

a.)

Spinový magnetický moment ms je vyvolaný a) rotáciou elektrónov okolo ich osí b) neúplne obsadenými vnútornými orbitálmi c) rotáciou elektrónov okolo jadra

a.)

Stav, kedy dochádza k prudkému poklesu rezistivity pri splnení určitých podmienok sa nazýva: a) supravodivosť b) konduktivita c) hypervodivosť

a.)

Supravodivosť je a) rapídny pokles rezistivity niektorých kovov, zliatin a keramík pri podkritickej teplote b) rapídny pokles korózivity niektorých kovov, zliatin a keramík pri teplote blízkej k absolútnej nule c) rapídny pokles konduktivity niektorých kovov, zliatin a keramík pri teplote blízkej k absolútnej nule

a.)

Supravodivý stav nastane, ak sú splnené 3 podmienky supravodivosti, pričom pre intenzitu magnetického poľa platí: a) intenzita magnetického poľa je nižšia ako kritická intenzita Hk b) intenzita (resp. indukcia) magnetického poľa je vyššia ako kritická intenzita Hk c) intenzita magnetického poľa je rôzna od kritickej intenzity Hk

a.)

Teplota vyčerpania prímesí polovodičov je: a) teplota, pri ktorej sa začínajú na vodivosti podieľať aj lokalizované elektróny a diery vlastného polovodiča b) teplota, pri ktorej dochádza k prudkému zníženiu vodivosti polovodiča c) teplota pri, ktorej sú všetky prímesi ionizované

a.)

Teplotnú závislosť u feromagnetík vyjadruje a) Curieho - Weissov zákon b) Fickov zákon c) Faradayov zákon

a.)

Termická oxidácia je a) parazitný rast oxidu kremíka pri tvorbe polovodičových vrstiev b) technológia vytvárania vrstvy natívneho oxidu kremíka c) fyzikálna metóda depozície oxid-nitridových vrstiev

a.)

Typickým znakom planárnej technológie je: a) vytvorenie prvkov a ich vývodov v jednej rovine b) možnosť umiestnenia puzdier BGA c) použitie technológie CoB (Chip on Board)

a.)

U kovov pri nulovej absolútnej teplote je pravdepodobnosť obsadenia energetických hladín pre W>WF: a) P(W) = 1 b) P(W) = 0 c) P(W) = 0,5

a.)

U kremíkových monokryštálov sa kvôli vysokej reaktivite používa a) argónová alebo vákuová atmosféra b) kyslíková alebo dusíková atmosféra c) chlórová alebo vodíková atmosféra

a.)

U ktorých dvoch kovov sa prejavuje hypervodivosť: a) hliník, berýlium b) hliník, striebro c) platinové kovy

a.)

Unipolárne tranzistory pracujú na princípe ovplyvňovania a) iba majoritných nosičov náboja b) majoritných a minoritných nosičov náboja c) iba minoritných nosičov náboja

a.)

V dipólovývh kvapalných izolantoch sa vyskytujú: a) vodivostné a polarizačné dielektrické straty b) iba vodivostné dielektrické straty c) iba polarizačné dielektrické straty

a.)

V intrinzickom (vlastnom) polovodiči platí, že a) koncentrácia dier je rovná koncentrácii voľných elektrónov b) koncentrácia dier je omnoho väčšia ako koncentrácia voľných elektrónov c) koncentrácia voľných elektrónov je omnoho väčšia ako koncentrácia dier

a.)

V jednosmernom elektrickom poli sú dielektrické straty zapríčinené predovšetkým a) elektrickou vodivosťou dielektrika b) vysokými frekvenciami c) rôznymi druhmi polarizácií

a.)

V nepolárnych kvapalných izolantoch sa vyskytuje len elektrónová polarizácia, preto je veľkosť relatívnej permitivity spravidla a) ~ 2,5 b) ~ 0 c) ~ 1

a.)

V nepolárnych tuhých izolantoch sa vyskytuje polarizácia a) elektrónová b) elektrónová a dipólová c) spontánna

a.)

V priepustnom smere PN priechodu je orientácia priloženého napätia voči difúznemu napätiu a) protismerná b) zhodná c) nezávislá

a.)

V prípade nepolárnych kvapalných izolantov vznikajú pri pôsobení elektrického poľa a) ióny disociáciou molekúl a nečistôt b) nevznikajú ióny ani elektróny c) ióny disociáciou vlastných molekúl

a.)

V prípade, že sa minimum vodivostného pásma a maximum valenčného pásma nachádza pri rovnakej hybnosti elektrónu, budeme polovodič nazývať: a) priamy b) intrinzický c) nepriamy

a.)

V silných EP existuje a) samostatná elektrická vodivosť b) samostatná aj nesamostatná elektrická vodivosť c) nesamostatná elektrická vodivosť

a.)

V slabých EP existuje a) nesamostatná elektrická vodivosť b) samostatná elektrická vodivosť c) samostatná aj nesamostatná elektrická vodivosť

a.)

V striedavom EP sú straty zapríčinené okrem vodivosti aj a) polarizáciou b) výskytom elektrónov c) výskytom iónov

a.)

Valenčné pásmo alkalických kovov: a) je neúplne obsadené b) je prázdne c) je plne obsadené

a.)

Veličina, ktorá je definovaná ako rýchlosť elektrónov vztiahnutá k intenzite elektrického poľa sa nazýva: a) pohyblivosť elektrónov b) difúzne napatie c) kontaktný potenciál

a.)

Veľkosť dielektrických strát v nepolárnych kvapalných izolantoch závisí: a) od stupňa čistoty izolačnej kvapaliny b) od termickej aktivácie iónov izolačnej kvapaliny c) od koncentrácie dipólových koloidných častíc

a.)

Vložením diamagnetického materiálu do magnetického poľa sa toto pole a) oslabuje b) neovplyvňuje c) zosilňuje

a.)

Vložením paramagnetického materiálu do magnetického poľa sa toto pole a) zosilňuje b) oslabuje c) neovplyvňuje

a.)

Vodivostné pásmo a) predstavuje súbor energetických pásiem elektrónov uvoľnených z chemických väzieb b) súbor energetických pásiem elektrónov charakterizujúci vodiče c) súbor energetických pásiem atómov v tuhom stave

a.)

Vonkajšie magnetické pole je príčinou dvoch základných dejov: a) pohybu doménových stien a natáčania vektorov magnetizácie domén b) natáčania polárnych dielektrík a ich orientácie proti smeru pôsobenia elektrickej indukcie c) vytvorenia elektrostatického poľa a pohybu kladných dier

a.)

Vypudzovanie magnetického poľa z vnútra supravodiča sa nazýva a) Meissnerov jav b) supravodivosť c) Coopererov jav

a.)

Vznik domén je spojený so snahou magnetickej látky a) znížiť vlastnú magnetickú energiu b) zvýšiť vlastnú magnetickú energiu c) zachovať si vlastnú magnetickú energiu bez zmeny

a.)

Vzájomné pôsobenie medzi elektrónmi susedných atómov má za následok a) že ich energetické hladiny sa štiepia a vytvárajú energetické pásma. b) že ich energetické hladiny sa štiepia a vytvárajú tým bodové poruchy. c) že ich energetické hladiny sa neštiepia a tým zabraňujú prechodu medzi orbitálmi.

a.)

Vákuové naparovanie je a) fyzikálna metóda depozície tenkých vrstiev b) fyzikálna metóda depozície polymérnych vrstiev c) fyzikálna metóda depozície hrubých vrstiev

a.)

Výhodou epitaxie je a) možnosť plynulo meniť koncentráciu donorových alebo akceptorových prímesí b) možnosť plynulo meniť hĺbku leptania materiálu polovodiča c) vysoká rýchlosť vytvárania vysokočistých monokryštálov

a.)

Waldenov zákon hovorí, že a) súčin elektrickej vodivosti a viskozity je približne konštantný b) súčin viskozity a počtu polarizovaných častíc je približne konštantný c) súčin viskozity a pohyblivosti je približne konštantný

a.)

Z VA charakteristiky plynných izolantov vyplýva, že v oblasti nasýteného prúdu je prúd a) nezávislý od napätia b) s napätím lineárne rastie c) s napätím lineárne klesá

a.)

Z fyzikálneho hľadiska možno dielektrické straty rozdeliť na tri hlavné druhy: a) vodivostné, polarizačné, ionizačné b) termické, materiálové, rezonančné c) izolačné, väzbové, prudové

a.)

Zenerov jav sa uskutočňuje a) tunelovaním elektrónov b) tunelovaním viazaných iónov c) tunelovaním prímesových atómov

a.)

Zenerove diódy sú využívané na a) stabilizáciu napätia b) zosilňovanie signálov c) usmerňovanie striedavého napätia

a.)

Závislosť vektora polarizácie od intenzity elektrického poľa vo feroelektrikách je a) nelineárna b) bez výrazných zmien c) lineárne rastúca

a.)

Účinnosť čistenia monokryštálu zónovou rafináciou sa zvyšuje a) počtom prechodov zóny b) použitím kyslíkovej atmosféry c) rýchlosťou vyťahovania zárodku z taveniny

a.)

Ak Wk je menšie ako Wp, na styku kov - polovodič N, a) antihradlová vrstva b) ohmický kontakt c) vznikne PN prechod

b.)

Ak Wk je väčšie ako Wp, na styku kov - polovodič N, a) ohmický kontakt b) vznikne PN prechod c) antihradlová vrstva

b.)

Ak je prechod PN zapojený v závernom smere, a) obvodom prechádza prúd zapríčinený pohybom majoritných nosičov náboja b) obvodom prechádza veľmi malý prúd tvorený iba menšinovými voľnými nosičmi náboja c) obvodom prechádza veľmi veľký prúd

b.)

Ak je uhol zmáčavosti menší ako 90 °, tuhý izolant má a) nezmáčavý povrch b) zmáčavý povrch c) povrch nevodivý

b.)

Ak je šírka zakázaného pásma materiálu ΔWz > 3eV, hovoríme o: a) polovodičoch b) izolantoch c) vodičoch

b.)

Ako sa zapájajú PN priehody bipolárneho tranzistora? a) oba PN priechody sa zapájajú závernom smere smere b) jeden PN priechod sa zapája v smere priepustnom, druhý v smere závernom c) oba PN priechody sa zapájajú v priepustnom smere

b.)

Aká je závislosť relatívnej permitivity od frekvencie u nepolárnych kvapalín a) lineárne rastúca b) nezávisí od frekvencie c) nelineárne rastúca

b.)

Aké hodnoty rezistivity vykazujú pri izbovej teplote extrémne čisté polovodiče? a) vysoké, vysokú vodivosť b) vysoké, nízku vodivosť c) nízke, vysokú vodivosť

b.)

Bipolárne tranzistory využívajú pre svoju činnosť a) iba majoritné nosiče náboja b) majoritné a minoritné nosiče náboja c) iba minoritné nosiče náboja

b.)

Cieľom technológie výroby monokryštálov je dosiahnutie a) čo najväčších monokryštálov s izotópnou kryštalografickou orientáciou b) čo najväčších monokryštálov s maximálnou čistotou bez porúch s definovanou kryštalografickou orientáciou c) čo najmenšej zrnitosti materiálu, ktorá sa však dosahuje len použitím veľmi nízkych teplôt

b.)

Clausius - Mossottiho rovnica platí pre: a) elektronegatívne plynné izolanty b) kvapalné a plynné izolanty c) polárne kvapalné izolanty

b.)

Curieho - Weissov zákon hovorí, že relatívna permitivita feroelektrík s rastom teploty a) exponenciálne rastie b) hyperbolicky klesá c) lineárne klesá

b.)

Curieho teplota je teplota, ktorej prekročením sa magnetické materiály stávajú a) feromagnetickými b) paramagnetickými c) diamagnetickými

b.)

Curieho zákon vyjadruje vplyv a) remanencie na magnetizáciu paramagnetík b) teploty na magnetizáciu paramagnetík c) magnetickej indukcie na magnetizáciu paramagnetík

b.)

Diamagnetické latky majú magnetickú susceptibilitu k a) (k >> 0) b) (k < 0) c) (k > 0)

b.)

Dielektrické materiály sú využívané najmä pre a) izoláciu vodivých častí b) realizáciu dielektrík kondenzátorov c) kompenzáciu dielektrických strát

b.)

Difúzia vedie k a) vyrovnaniu merných hmotností b) vyrovnaniu koncentrácií a/alebo teplôt c) zmene hustoty bázového prúdu a zosilneniu

b.)

Difúzia vedie k: a) vytváraniu teplotných alebo koncentračných nerovností b) vyrovnaniu koncentrácií a/alebo teplôt c) vzniku teplotných a koncentračných gradientov

b.)

Difúzny prúd a) nie je nikdy vždy sprevádzaný driftovým prúdom b) je vždy sprevádzaný ohmickým (driftovým) prúdom c) je identický pojem ako driftový prúd

b.)

Diódový jav je a) usmerňujúci jav na PN priechode, keď je pripojené jednosmerné napätie b) usmerňujúci jav na PN priechode, keď je pripojené striedavé napätie c) usmerňujúci jav na P alebo N polovodiči, kedy je napätie usmernené do jedného smeru

b.)

Diódový jav sa nazýva a) jav závislosti elektrického napätia polovodiča s priechodom PN od polarity vonkajšieho zdroja napätia pripojeného k polovodiču b) jav závislosti elektrického prúdu v polovodiči s priechodom PN od polarity vonkajšieho zdroja napätia pripojeného k polovodiču c) jav závislosti elektrického odporu polovodiča s priechodom PN od polarity vonkajšieho zdroja napätia pripojeného k polovodiču

b.)

Donor je prímes, ktorá a) pôsobí ako eliminátor porúch kryštálovej mriežky v polovodiči b) odovzdáva elektrón c) prijíma elektrón

b.)

Elektronegatívne plyny majú schopnosť zachytávať na svojich a) atómoch elektróny b) molekulách elektróny c) atómoch ióny

b.)

Fermiho energia pre kovy je a) energia najvyššej hladiny, na ktorej sa nachádza atóm b) energia najvyššej hladiny, na ktorej sa nachádza elektrón pri nulovej absolútnej teplote. c) energia najvyššej hladiny, na ktorej sa nachádza elektrón pri izbovej teplote.

b.)

Fotoelektrický jav možno definovať ako a) emisiu fotónov v dôsledku dopadajúcich voľných nosičov náboja b) uvoľňovanie nosičov náboja pohltením energetického kvanta dopadajúceho žiarenia c) emisiu fotónov v dôsledku dopadajúcich viazaných nosičov náboja

b.)

Hlavným parametrom dielektrických materiálov je a) relatívna permeabilita b) relatívna permitivita c) relatívna reaktancia

b.)

Hodnota magnetickej indukcie, ktorá zostane vo feromagnetiku po znížení intenzity magnetického poľa na nulu je a) indukcia nasýtenia Bs b) remanentná indukcia Br c) relatívna permeabilita µr

b.)

Homoepitaxia je a) rast vrstvy rozdielného zloženia ako substrát b) rast vrstvy rovnakého zloženia ako substrát c) výroba monokryštálov z kvapalnej aj tuhej fázy

b.)

Hrúbku hradlovej vrstvy (ochudobnená oblasť) PN priechodu a) možno ovládať vonkajším elektrickým poľom b) nemožno ovládať tepelným prúdom c) nemožno ovládať pretekajúcim prúdom

b.)

Ideálny vlastný (intrinzický) polovodič: a) má rovnomernú koncentráciu prímesí b) neobsahuje žiadne poruchy kryštálovej mriežky c) je dotovaný prímesami

b.)

Indukovaný dipólový moment je vysunutie ťažísk elektrických nábojov z rovnovážnych polôh vplyvom: a) spontánnej polarizácie b) elektrického poľa c) pohyblivosti nosičov náboja

b.)

Ionizačná krivka sa používa na a) určenie stupňa polarizácie izolantu b) posúdenie kvality izolácie elektrických strojov c) stanovenie odolnosti voči ionizácii izolantu

b.)

Javom magnetická hysterézia sa označuje: a) zaostávanie zmien elektrickej indukcie za zmenami intenzity magnetického poľa b) zaostávanie zmien magnetizácie, resp. magnetickej indukcie za zmenami intenzity magnetického poľa c) zaostávanie zmien elektrickej indukcie za zmenami intenzity elektrického poľa

b.)

Jednotkou relatívnej permitivity je: a) F b) bezrozmerná veličina c) F/m

b.)

Katódové naprašovanie je realizované a) v chlórovej atmosfére pri vysokom tlaku, a nízkom napätí a nízkej energii častíc b) v inertnej atmosfére pri nízkom tlaku, vysokom napätí a vysokej energii častíc c) v inertnej atmosfére pri vysokom tlaku vysokom napätí a vysokej energii častíc

b.)

Klasická elektrónová teória kovov popisuje: a) elektrickú vodivosť kovov na základe existencie voľne pohyblivých atómov b) elektrickú vodivosť kovov na základe existencie voľne pohyblivých elektrónov c) elektrickú vodivosť kovov na základe existencie voľne pohyblivých fotónov

b.)

Klasická elektrónová teória opisuje elektrickú vodivosť na základe a) predpokladu, že voľný elektrón ľubovoľnej pohybovej energie je riadený zákonmi vlnovej mechaniky. b) existencie voľných pohyblivých elektrónov, ktoré sa pohybujú usmernene pri pôsobení vonkajšieho elektrického poľa. c) existencie fotónov, ktoré spôsobia vznik elektrického prúdu, ak dôjde k zmene polarizácie vonkajšieho elektrického poľa.

b.)

Kondenzátor je elektronická súčiastka, ktorá slúži na a) usmernenie signálu b) uchovávanie elektrickej energie c) zosilnenie signálu

b.)

Konduktivita kovov (merná elektrická vodivosť): a) s rastúcim obsahom nečistôt rastie b) s rastúcim obsahom nečistôt klesá c) nezávisí od koncentrácie prímesí

b.)

Ktorej technológii odpovedá výroba feritov, kedy sa postupne namiešajú namleté práškové suroviny, ktoré sa lisujú a vypaľujú? a) hrubovrstvonej technológii b) technológiam výroby keramických materiálov c) planárnej technológii

b.)

Ktorá je pracovná oblasť polovodičov? a) oblasť slabej ionizácie prímesí b) oblasť úplnej ionizácie prímesí c) oblasť vlastnej vodivosti polovodiča

b.)

Magneticky mäkké kovy a zliatiny sa vyznačujú a) širokou hysteréznou slučkou, malou hodnotou maximálnej magnetickej indukcie a veľkou koercitivitou b) úzkou hysteréznou slučkou, veľkou hodnotou maximálnej magnetickej indukcie a malou koercitivitou c) širokou hysteréznou slučkou a malou hodnotou maximálnej magnetickej indukcie

b.)

Magneticky tvrdé materiály majú a) Hc menšie ako 800 A/m a je ich ťažké zmagnetizovať b) Hc väčšia ako 1 500 A/m a je ich ťažké zmagnetizovať c) Hc menšie ako 1 500 A/m a možno ich ľahko zmagnetizovať aj odmagnetizovať

b.)

Magnetické kompozity a) sa vyznačujú kombináciou magnetických vlastností a veľkého elektrického odporu b) sú tvorené feromagnetickou alebo ferimagnetickou látkou s nosným médiom (roztoky prírodných alebo syntetických živíc) c) sa vyznačujú širokou hysteréznou slučkou, zvyčajne sú mechanicky tvrdé

b.)

Majoritnými nosičmi náboja v polovodičoch typu N sú a) elektróny aj diery, zúčastňujúce sa na vodivosti približne rovnakou mierou b) elektróny c) diery

b.)

Medzi diamagnetické materiály patria: a) hliník, chróm b) kremík, germánium, meď c) oxidy železa

b.)

Medzi paramagnetické materiály patria: a) zlato a striebro b) hliník a platina c) oxidy železa

b.)

Medzi podmienky potrebné na vznik supravodivosti nepatrí: a) podkritická teplota b) podmienka geometrických rozmerov supravodiča c) podkritická intenzita magnetického poľa

b.)

Medzi polarizáciou dielektrika a intenzitou elektrického poľa a) je nepriamoúmerný vzťah b) je úmerný vzťah c) nie je žiaden vzťah

b.)

Medzi primárne magnetické vlastnosti patria a) susceptibilita a koercivita b) nasýtená magnetická polarizácia Js a Curieho teplota Tc c) magnetická indukcia a permeabilita

b.)

Molekulárna epitaxia je a) vytváranie veľmi tenkých viaczložkových vrstiev naparovaním zväzkami atómov alebo molekúl pri veľmi vysokom tlaku pracovnej atmosféry b) ultravákuové vytváranie veľmi tenkých viaczložkových vrstiev naparovaním zväzkami atómov alebo molekúl c) depozícia vrstvy rozdielneho zloženia ako substrát

b.)

Monokryštál kremíka sa vyrába napríklad a) dotovaním b) ťahaním z kelímka c) pásmovým tavením

b.)

Na vzniku chemickej väzby sa podieľa energetické pásmo a) zakázané. b) valenčné. c) vnútorné.

b.)

Nato, aby nosiče náboja vstrekované emitorovým prechodom do bázy rekombinovali skôr, než dosiahnu kolektorový prechod tranzistora, musí byť a) vrstva bázy dostatočne hrubá b) vrstva bázy dostatočne tenka c) vrstva kolektora dostatočne tenká

b.)

Názov „diera" v teórii polovodičov predstavuje a) porucha kryštálovej mriežky, na ktorej mieste sa nachádzal atóm polovodiča b) priestor, v ktorom sa nachádzal elektrón, neobsadenú kovalentnú väzbu c) priestor, ktorý vznikne v okolí elektrónu, ktorý sa nachádza vo vodivostnom pásme

b.)

Ohyb energetických hladín na Schottkyho prechode závisí a) množstva voľných elektrónov b) od výstupných prác elektrónov c) od teploty

b.)

PN priechod v priepustnom smere vznikne, ak pripojíme a) striedavé napätie b) k polovodiču typu N záporný pól zdroja a k polovodiču typu P kladný pól zdroja c) k polovodiču typu P záporný pól zdroja a k polovodiču typu N kladný pól zdroja

b.)

PN priechod v závernom smere je charakteristický tým, že a) elektróny sa pohybujú z N do P a diery z P do N b) elektróny sa pohybujú z P do N a diery z N do P c) elektróny sa pohybujú z N do P a diery z N do P

b.)

PN priechod v závernom smere vznikne, ak zapojíme a) k polovodiču typu N záporný pól zdroja a k polovodiču typu P kladný pól zdroja b) k polovodiču typu P záporný pól zdroja a k polovodiču typu N kladný pól zdroja c) striedavé napätie

b.)

Peltierov jav je možné vyjadriť ako a) vznik termoelektrického napätia v látke pozdĺž ktorej existuje teplotný gradient b) pohlcovanie alebo vyžarovanie tepla na prechode dvoch rozdielnych polovodičov alebo polovodiča a kovu pretekanom prúdom c) uvoľňovanie elektrónov z väzieb kryštálovej mriežky silným elektrickým poľom

b.)

Podmienkou vzniku lavínového javu je a) dostatočná koncentrácia atómov b) dostatočná hrúbka hradlovej vrstvy c) čo najlepšia adhézia priechodu PN

b.)

Podľa veľkosti stratového čísla sa a) hodnotí miera polarizácie dielektrika b) posudzujú dielektrické straty izolantu c) hodnotí schopnosť izolantu viesť elektrický prúd

b.)

Pohyblivosť voľných nosičov náboja v polovodiči je definovaná ako: a) pomer koncentrácie nosičov náboja a intenzity elektrického poľa b) pomer rýchlosti a elektrickej intenzity c) súčin akceptorovej energie a efektívnej hmotnosti nosičov náboja

b.)

Polarizácia dielektrických materiálov je využívaná pre konštrukciu a) prístrojov pre meranie dielektrických strát izolantov, pričom polarizácia je iba nežiadúci jav v reálnych izolantoch b) kondenzátorov c) kondenzátorov a indukčných tlmiviek

b.)

Polarizácia dielektrika z makroskopického hľadiska závisí na a) dipólovom momente a relatívnej permitivite b) dipólovom momente a objeme dielektrika c) veľkosti elektrického poľa

b.)

Polarizácia ktorého druhu má najrýchlejší priebeh (najkratšiu dobu trvania): a) relaxačná b) pružná c) medzivrstvová

b.)

Polarizácia ktorého druhu nastáva bez strát energie: a) relaxačná b) pružná c) ionizačná

b.)

Polarizácia ktorého druhu spočíva v posuve rovnakého množstva kladných a záporných pružne viazaných ťažísk nábojov opačnými smermi: a) spontánna b) pružná c) relaxačná

b.)

Povrchová vodivosť tuhých izolantov je výraznejšia ak povrch izolantu je a) nezmáčavý b) zmáčavý c) nezáleží na zmáčavosti

b.)

Pre feroelektriká je typická a) elektrónová pružná polarizácia b) doménová štruktúra c) iónová relaxačná štruktúra

b.)

Pre ktoré dve látky je typická magnetická susceptibilita k >> 0 a) diamagnetické a paramagnetické b) feromagnetické a ferimagnetické c) feromagnetické a paramagnetické

b.)

Pre polarizáciu ktorého druhu je charakteristický vznik indukovaného dipólového momentu na makroskopické vzdialenosti: a) relaxačná b) medzivrstvová (migračná) c) pružná

b.)

Princíp Zónovej rafinácie spočíva a) vo vyťahovaní zárodku monokryštálu z taveniny b) v pohybe roztavenej zóny pozdĺž ingotu jedným smerom c) v bombardovaní monokryštálu vysokoenergetickými časticami

b.)

Proces výroby monokryštálu Czochralského metódou prebieha v a) intrinzickej atmosfére vlastného polovodiča b) inertnej atmosfére alebo pod ochrannou taveninou vo vákuovej alebo tlakovej nádobe c) inertnej atmosfére s vysokou koncentráciou SiO2

b.)

Príčinou usmerňujúceho javu na PN prechode sú a) majoritné nosiče náboja b) minoritné nosiče náboja c) kladné a záporné Ióny

b.)

Relatívna permeabilita µr paramagnetických materiálov je a) µr < 1 b) µr > 1 c) µr ~ 0

b.)

Remanencia feromagnetických materiálov Br je definovaná ako a) elektrická indukcia poľa pri nulovej teplote okolitého prostredia b) magnetická indukcia pri nulovej intenzite magnetického poľa po predchádzajúcej magnetizácii do nasýtenia c) intenzita magnetického poľa, ktorá je potrebná, aby po predchádzajúcej magnetizácii do nasýtenia poklesla magnetická indukcia na nulovú hodnotu

b.)

Remanentnú indukciu Br možno zrušiť a) stacionárnym magnetovaním z odmagnetovaného stavu (H = 0, B = 0) až do nasýtenia b) opačne orientovaným magnetickým poľom s intenzitou rovnajúcou sa intenzite koercitívneho poľa Hc c) planárnou technológiou

b.)

S rastúcim tlakom rezistivita kovov (merný elektrický odpor): a) ostáva rovnaká b) klesá c) stúpa

b.)

Schottkyho priechod sa líši od p-n priechodu tým a) cez bariéru prechádzajú obidva typy nosičov nábojov b) že je unipolárny c) že je bipolárny

b.)

Schottkyho priechod vzniká spojením a) polovodiča a izolantu b) kovového a polovodičového materiálu c) dvoch kovových materiálov

b.)

Seebeckov jav je možné vyjadriť ako a) pohlcovanie alebo vyžarovanie tepla na prechode dvoch rozdielnych polovodičov alebo polovodiča a kovu pretekanom prúdom b) vznik termoelektrického napätia v látke pozdĺž ktorej existuje teplotný gradient c) uvoľňovanie elektrónov z väzieb kryštálovej mriežky silným elektrickým poľom

b.)

Segregačný koeficient je daný a) rozdielom koncentrácie prímesí v tuhej a kvapalnej fáze b) pomerom koncentrácie prímesí v tuhej a kvapalnej fáze c) súčinom koncentrácie prímesí v tuhej a kvapalnej fáze

b.)

Spontánna polarizácia: a) je bezstratová b) je stratová c) nezávisí na teplote

b.)

Termoelektrické napätie pripadajúce na jednotkový rozdiel teploty sa nazýva a) Boltzmannova konštanta b) Seebeckov koeficient c) Hallova konštanta

b.)

U hypervodičov dochádza pri znižovaní teploty a zvyšovaní čistoty materiálu k: a) zachovaniu koncentrácie nosičov náboja od prímesí b) poklesu rezistivity (merneho elektrického odporu) c) nárastu rezistivity (merneho elektrického odporu)

b.)

U nepolárnych izolantov vlastný izolant a) môže disociovať na ióny v malej miere b) nemôže disociovať na ióny c) obsahuje voľné nosiče nábojov

b.)

V jednosmernom i striedavom EP sú straty zapríčinené predovšetkým a) výskytom elektrónov b) elektrickou vodivosťou dielektrika c) polarizáciou dielektrika

b.)

V nehomogénnych tuhých dipólových izolantoch sa okrem iného vyskytuje polarizácia a) spontánna b) migračná c) Iónová

b.)

V nepolárnych kvapalných izolantoch sa vyskytuje a) len iónová polarizácia, typická pre kvapaliny b) len elektrónová polarizácia c) elektrónová i iónová polarizácia

b.)

V okolí PN priechodu bez prítomnosti vonkajšieho elektrického poľa sa nachádza a) vrstva zakázaných Fermiho energií b) vrstva ochudobnená o voľné nosiče náboja c) vrstva obohatená o voľné nosiče náboja

b.)

V polárnych kvapalných izolantoch sa vyskytujú straty a) iba vodivostné b) vodivostné a polarizačné c) iba polarizačné

b.)

V silnom elektrickom poli dochádza u izolantov a) k vodivosti vplyvom disociácie nečistôt b) k vodivosti samostatnej (ionizácia a uvoľnenie elektrónov) c) k vodivosti nesamostatnej

b.)

V slabom elektrickom poli dochádza u izolantov a) k vodivosti samostatnej (ionizácia a uvoľnenie elektrónov) b) k vodivosti nesamostatnej c) k prierazu

b.)

V slabých elektrických poliach sú u reálnych izolantov voľnými nosičmi nábojov spravidla a) voľné elektróny vznikajúce disociáciou prímesí a nečistôt b) voľné ióny, vznikajúce disociáciou, resp. aktiváciou častíc prímesí a nečistôt c) voľné nosiče nábojov neexistujú

b.)

Vodiče sú materiály, u ktorých dochádza k prenosu elektrického prúdu, pričom a) dochádza k pozorovateľným chemickým zmenám. b) nedochádza k žiadnym pozorovateľným chemickým zmenám c) spravidla dochádza k posuvu mriežkových rovín materiálu.

b.)

Vznik Hallovho napätia je zapríčinený a) rovnomerným rozložením náboja vplyvom pôsobenia magnetického poľa b) nerovnomerným rozložením náboja vplyvom pôsobenia magnetického poľa c) teplotným gradientom vplyvom pôsobenia magnetického poľa

b.)

Vákuové naparovanie je vytváranie tenkých vrstiev odparovaním vyhrievaného materiálu a) v inertnom vákuu b) vo vysokom vákuu c) v inertnej atmosfére

b.)

Výhodou molekulárnej epitaxie je a) vytváranie monokryštalických ingotov presného zloženia b) mimoriadne presné ovládanie hustoty a zloženia prúdu atómov, resp. molekúl c) technologicky nenáročné vytváranie objemových monokryštálov

b.)

Zakázané pásmo je: a) najvyššie obsadené pásmo pri nulovej absolútnej teplote b) pásmo, v ktorom sa nemôžu elektróny vyskytovať c) pásmo, v ktorom sa elektróny vyskytujú, ak absorbujú dostatok energie

b.)

Zatavenie dotovacieho materiálu na polovodičovej platničke je typické pre a) iónovú implantáciu b) zliatinovú technológiu c) epitaxnú technológiu

b.)

Základnou črtou planárnej technológie je, a) že je to najjednoduchšia metóda prípravy PN priechodov b) že všetky kontakty sú na jednej rovine c) že je fotolitografický proces

b.)

Závislosť konduktivity (elektrickej vodivosti) plynných izolantov od napätia je a) lineárne rastúca b) charakterizovaná troma rozdielnymi oblasťami c) nemenná

b.)

Činnosť Zenerovej diódy v závernom smere je podmienená a) nízkym napätím b) dostatočne úzkou hradlovou vrstvou c) vysokou teplotou

b.)

Čo sú majoritné nosiče náboja v n-type polovodiča? a) elektróny a kladné diery b) elektróny c) kladné diery

b.)

Šírka zakázaného pásma v pásmovom modeli tuhej látky a) nemá vplyv na vodivosť materiálu b) určuje typ vodivosti materiálu c) je vymedzená termodynamickou rovnováhou

b.)

Ak je PN priechod polarizovaný v závernom smere, a) šírka hradlovej vrstvy sa zmenšuje b) tvar PN priechodu sa vychyľuje v smere vzniknutého magnetického poľa c) šírka hradlovej vrstvy sa zväčšuje

c.)

Ak je šírka zakázaného pásma materiálu ΔWz 1,5 eV - 2,5eV, hovoríme o: a) izolantoch b) vodičoch c) polovodičoch

c.)

Aká je závislosť relatívnej permitivity od teploty u nepolárnych kvapalín? a) lineárne rastúca b) nezávisí od teploty c) lineárne klesajúca

c.)

Anizotropia magnetických vlastností znamená, že a) určitá časť kryštalitov sa orientuje rovnobežne do smeru plastickej deformácie b) dochádza k zmene geometrických rozmerov telesa z magnetického materiálu po jeho vložení do magnetického poľa c) magnetovateľnosť je závislá na kryštalografickom smere

c.)

Bipolárne tranzistory využívajú a) jeden priechod PN b) tri priechody PN c) dva priechody PN

c.)

Bohrov magnetón je a) priemernou kvantovou jednotkou magnetického momentu b) najväčšou kvantovou jednotkou magnetického momentu c) najmenšou kvantovou jednotkou magnetického momentu

c.)

Charakteristická veľkosť relatívnej permitivity pre plynné dielektriká je: a) 10 000 b) 100 c) ~1

c.)

Coehnovo pravidlo hovorí, že koloidné častice sa budú nabíjať a) kladne, ak ich vodivosť je menšia ako vodivosť kvapalného izolantu b) záporne, ak ich vodivosť je väčšia ako vodivosť kvapalného izolantu c) kladne, ak ich permitivita je väčšia ako permitivita kvapalného izolantu

c.)

Coulombov zákon hovorí, že veľkosť sily medzi dvoma bodovými nábojmi je a) nepriamo úmerná veľkosti súčinu nábojov a nepriamo úmerná druhej mocnine vzdialenosti medzi nimi b) nepriamo úmerná veľkosti súčinu nábojov a priamo úmerná druhej mocnine vzdialenosti medzi nimi c) priamo úmerná veľkosti súčinu nábojov a nepriamo úmerná druhej mocnine vzdialenosti medzi nimi

c.)

Curieho - Weissov zákon charakterizuje a) spôsob polarizácie dielektrík b) zmenu viskozity kvapalného dielektrika c) teplotu fázového prechodu vo feroelektrikách

c.)

Curieho teplota je teplota, pri ktorej a) sa dosahuje supravodivosť b) dochádza k zmene magnetickej orientácie materiálu c) sa magnetické materiály stávajú paramagnetickými

c.)

Dielektrická susceptibilita je definovaná ako a) konštanta úmernosti medzi elektrickým poľom E a vzdialenosťou elektród b) konštanta úmernosti medzi napätím a kapacitou c) konštanta úmernosti medzi elektrickým poľom E a indukovanou dielektrickou hustotou polarizácie P

c.)

Dielektrické materiály sú používané pre: a) konštrukciu rezistorov b) konštrukciu transformátorov c) konštrukciu kondenzátorov

c.)

Dielektrické straty izolantov predstavujú elektrickú energiu, ktorá: a) sa prejavuje zmenou dielektrických vlastností b) sa spotrebuje na kompenzáciu polarizačných pochodov pri vlastnej rezonančnej frekvencii c) sa za jednotku času premení na iný druh energie

c.)

Dielektrické straty závisia a) od napätia, frekvencie, relatívnej permitivity a elektrickej vodivosti b) od druhej mocniny napätia, relatívnej permitivity a činiteľa dielektrických strát c) od druhej mocniny napätia, od frekvencie, relatívnej permitivity a činiteľa dielektrických strát

c.)

Difúznu technológiu je možné charakterizovať ako: a) dodávanie iónov, ktoré sú potrebné na rozprašovanie terčíkového materiálu z iónového zdroja b) zatavenie dotovacieho materiálu na polovodičovej platničke, čím vznikne PN priechod c) vysokoteplotnú aplikáciu atómov na selektovaný povrch substrátu v plynnom, kvapalnom alebo pevnom skupenstve

c.)

Donory sú spravidla a) prvky mocenstvom nižším, ako mocenstvo základného polovodiča b) prvky zo I. skupiny periodickej tabuľky prvkov c) prvky mocenstvom vyšším, ako mocenstvo základného polovodiča

c.)

Efektívna hmotnosť elektrónov a dier je: a) rýchlosť vztiahnutá na intenzitu elektrického poľa b) pomer hmotnosti voľnýcvh nosičov náboja a náboja elektrónu c) koeficient úmernosti medzi vonkajšou silou pôsobiacou na časticu a jej stredným zrýchlením

c.)

Elektrická pevnosť tuhých izolantov s rastúcou hrúbkou a) stúpa b) nemení sa c) klesá

c.)

Elektrický odpor prechodu PN pri zapojení v závernom smere sa a) zmenší, obvodom prechádza veľký prúd tvorený iba menšinovými voľnými nosičmi náboja b) zmenší, obvodom prechádzajú len majoritné nosiče náboja c) zväčší, obvodom prechádza veľmi malý zvyškový prúd

c.)

Elektrónová polarizácia sa vyskytuje: a) iba u polárnych dielektrík b) iba u feroelektrík c) u všetkých dielektrík

c.)

Elektrónový prúd v polovodiči tečie voči dierovému prúdu a) rovnakým smerom b) smer závisí od typu polovodiča c) opačným smerom

c.)

Epitaxia z plynnej fázy využíva transportné a iné chemické reakcie pri a) podtlaku b) vysokom tlaku c) atmosférickom tlaku

c.)

Ferity sa používajú a) pre magnetické zámky, magnetické gumené tesnenia, membrány reproduktorov b) pri konštrukcii slúchadiel, mikrofónov, krokových motorčekov analógových hodiniek c) pre jadrá vysokofrekvenčných cievok a transformátorov

c.)

Fotonapäťový (fotovoltický) jav je definovaný ako vznik a) rozdielu koncentrácie nosičov náboja vplyvom magnetického poľa b) mikrovlnových kmitov pripojením jednosmerného napätia c) elektrického napätia v dôsledku ožiarenia (osvetlenia)

c.)

Hallov jav je využívaný na a) k realizácii polovodičových chladiacich článkov b) priamu premenu tepelnej energie na elektrickú c) meranie intenzity magnetického poľa

c.)

Hallov jav sa prejavuje a) vznikom Hallovho napätia na vodiči v smere toku prúdu b) vytvorením magnetickej indukcie v smere toku prúdu c) vznikom Hallovho napätia na vodiči v smere kolmom na smer prúdu a smer magnetického poľa, do ktorého je vodič vložený

c.)

Heteroepitaxia je a) rast vrstvy rovnakého zloženia ako substrát b) výroba monokryštálov z kvapalnej aj tuhej fázy c) rast vrstvy rozdielneho zloženia ako substrát

c.)

Hranicou bezpečnej vlhkosti pre elektroizolačné systémy, nad ktorou dochádza k prudkým zmenám vlastností izolantu, je a) 50% vlhkosť b) 70% vlhkosť c) 60% vlhkosť

c.)

Hysterézna slučka feromagnetických materiálov predstavuje závislosť a) prúdu - I na napätí - V b) magnetickej indukcie - B od frekvencie - f c) magnetickej indukcie - B od magnetickej intenzity - H

c.)

Intenzita magnetického poľa, ktorá je potrebná, aby po predchádzajúcej magnetizácii do nasýtenia poklesla magnetická indukcia na nulovú hodnotu, sa nazýva a) indukcia nasýtenia Bs b) relatívna permeabilita µr c) koercivita Hc

c.)

Ionizačné dielektrické straty vznikajú predovšetkým a) v nepolárnych dielektrikách b) v ionizovaných kvapalinách c) v plynových dutinkách izolantov

c.)

Kritické magnetické pole HC je magnetické pole, po ktorého prekročení dochádza a) nedochádza k zmene supravodivého stavu b) k magnetickej levitácii supravodiča c) k strate supravodivých vlastností

c.)

Ktorá polarizácia sa vyskytuje pri frekvenciách viditeľného svetla a je dôležitá pre spektrálnu analýzu: a) medzivrstvová (migračná) b) spontánna (samovoľná) c) rezonančná

c.)

Ktoré tvrdenie je správne: a) pohyblivosť elektrónov je rovnaká ako pohyblivosť dier b) pohyblivosť elektrónov je menšia ako pohyblivosť dier c) pohyblivosť elektrónov môže byť aj vyše rádovo väčšia ako pohyblivosť dier

c.)

Magneticky mäkké materiály majú a) Hc väčšie ako 1 500 A/m a je ich ťažké zmagnetizovať b) Hc menšie ako 800 A/m a je ich ťažké zmagnetizovať c) Hc menšie ako 800 A/m a možno ich ľahko zmagnetizovať aj odmagnetizovať

c.)

Magnetický moment atómového jadra je a) veľmi veľký v porovnaní s momentom elektrónov b) porovnateľný s momentom elektrónov c) veľmi malý v porovnaní s momentom elektrónov

c.)

Magnetizačná krivka pozostáva z a) výstupnej charakteristiky a krivky poslednej magnetizácie b) zaťažovacej krivky a prechodovej charakteristiky c) krivky prvotnej magnetizácie a hysteréznej slučky

c.)

Magnetostrikcia je a) zmena vodivých vlastností telesa z magnetického materiálu po jeho vložení do magnetického poľa b) zmena skupenstva telesa z magnetického materiálu po jeho vložení do magnetického poľa c) zmena geometrických rozmerov telesa z magnetického materiálu po jeho vložení do magnetického poľa

c.)

Majoritnými nosičmi náboja v polovodiči typu P sú a) elektróny b) elektróny aj diery, zúčastňujúce sa na vodivosti približne rovnakou mierou c) diery

c.)

Medzi feromagnetické materiály patria: a) chróm, vanád a ich oxidy b) meď, hliník a ich zliatiny c) železo, kobalt, nikel a ich zliatiny

c.)

Medzi magneticky mäkké materiály patra a) liatinové magnety b) neodýmiové magnety (NdFeB) c) technicky čisté železo, ocele

c.)

Medzi magneticky mäkké materiály patria a) oxidy MnO a NiO b) zliatina AlNiCo a zliatina FeCrCo c) ocele a zliatiny FeCo

c.)

Medzi najväčšie výhody kremíka patrí: a) vlastnosť vytvárať elektronické prvky s vysokou pohyblivosťou nosičov náboja v porovnaní s inými polovodičmi b) odolnosť voči tvorbe oxidu SiO2, ktorý znemožňuje realizovať fotoloitografické postupy c) schopnosť tvorby oxidu SiO2, ktorý umožňuje realizovať fotoloitografické postupy

c.)

Medzi polarizáciou a elektrickým poľom vo foferoelektriku je a) lineárne rastúca závislosť b) nie je závislosť c) nelineárne rastúca závislosť

c.)

Medzi výhody hypervodičov oproti supravodičom nepatrí: a) nižšie náklady na prevádzku b) vyššia pracovná teplota c) možnosť dosiahnutia hypervodivosti aj pôsobením tlaku

c.)

Merná elektrická vodivosť (konduktivita) charakterizuje schopnosť materiálu: a) viesť elektrické napätie b) znižuje elektrický odpor c) viesť elektrický prúd

c.)

Mesa technológia je tvorená kombináciou a) epitaxnej a difúznej metódy b) povrchovej a objemovej planárnej metódy c) difúznej a zliatinovej metódy

c.)

Metóda, pri ktorej je zárodok monokryštálu upevnený na ťahacom hriadeli, priložený k tavenine v kremennom tégliku, pomaly vyťahovaný a rotovaný proti smeru rotácie taveniny, sa nazýva: a) Bridgemanova metóda b) zónová rafinácia c) Czochralského metóda

c.)

Migračná polarizácia je typická pre: a) kvapalné izolanty b) plynné izolanty c) viacvrstvové izolanty

c.)

Minoritnými nosičmi náboja v polovodiči typu P sú a) diery b) elektróny aj diery, zúčastňujúce sa na vodivosti približne rovnakou mierou c) elektróny

c.)

Na základe pásmovej štruktúry materiály rozlišujeme ako a) vodiče a nevodiče b) polovodivé, vodivé a supravodivé c) vodiče, polovodiče a izolanty

c.)

Nenulová magnetizácia i bez prítomnosti vonkajšieho magnetického poľa sa nazýva a) diamagnetizmus b) paramagnetizmus c) spontánny magnetizmus

c.)

Nosičmi náboja v supravodivom stave sú a) Schrieferove páry b) Bardeenove páry c) Cooperove páry

c.)

Objemové monokryštály sa po vyrobení členia na plátky, takzvané a) wafle b) buffre c) wafre

c.)

Ohrev dielektrika po jeho vložení do striedavého elektrického poľa je spôsobený: a) činnými stratami reálneho izolantu b) zvyškovou vodivosťou c) dielekrickými stratami

c.)

PN priechod je polarizovaný v závernom smere, ak pre minoritné nosiče náboja platí, že a) elektróny aj diery navzájom rekombinujú v hradlovej oblasti, čím dochádza k nárastu celkového prúdu b) elektróny z polovodiča typu N smerujú do polovodiča typu P a zároveň diery z polovodiča typu P smerujú do polovodiča typu N c) elektróny z polovodiča typu P smerujú do polovodiča typu N a zároveň diery z polovodiča typu N smerujú do polovodiča typu P

c.)

PN priechody sú tvorené napríklad: a) zónovou tavbou b) Czochralského metódou c) epitaxnou technológiou

c.)

Po vložení dielektrika alebo izolantu do elektrického poľa sa v tomto materiáli určitá časť energie premieňa na neužitočné teplo. Táto energia sa nazýva: a) relatívna permitivita b) Jouleove straty c) dielektrické straty

c.)

Podmienkou tunelového javu na PN prechode je a) vysoké napätie pri prechode prúdu b) dostatočne hrubá hradlová vrstva c) tenká hradlová vrstva

c.)

Podľa Coulombovho zákona vyjadruje relatívna permitivita vplyv prostredia na veľkosť sily pôsobiacej medzi a) dipólovými doménami b) doménami c) nábojmi

c.)

Podľa Mathiessenovho pravidla je možné rezistivitu kovov s malým množstvom prímesí vyjadriť ako: a) súčin zvyškovej rezistivity danej koncentráciou prímesí a rezistivity závislej na teplote b) podiel zvyškovej rezistivity danej koncentráciou prímesí a rezistivity závislej na teplote c) súčet rezistivity danej koncentráciou prímesí a rezistivity závislej na teplote

c.)

Pohybom dier v polovodiči vzniká takzvaný dierový prúd. Vodivosť spôsobená dierami sa nazýva a) vodivosť typu N b) vodivosť typu PIN c) dierová vodivosť

c.)

Pojmom „diera" je označovaný a) vakancia v štruktúre polovodiča b) uzlový bod v kryštálovej mriežke, kde sa nachádza prímesový atóm c) neobsadený stav elektrónom v čiastočne zaplnenom valenčnom pásme polovodiča

c.)

Polarizačná zložka dielektrických strát existuje pri pôsobení a) jednosmerného i striedavého napätia b) jednosmerného napätia c) striedavého napätia v polárnych dielektrikách

c.)

Polarizačná zložka dielektrických strát vzniká a) vplyvom jednosmerného elektrického poľa v polárnych dielektrikách b) vplyvom jednosmerného elektrického poľa v nepolárnych dielektrikách c) len vplyvom striedavého elektrického poľa v polárnych dielektrikách

c.)

Polarizačné dielektrické straty sú zapríčinené: a) oneskorovaním pohybu nosičov náboja prímesí za zmenami intenzity elektrického poľa b) oneskorovaním pohybu voľných elektrických nábojov za zmenami intenzity elektrického poľa c) oneskorovaním pohybu viazaných elektrických nábojov za zmenami intenzity elektrického poľa

c.)

Polovodičové diódy využívajú a) tri priechody PN b) dva priechody PN c) jeden priechod PN

c.)

Polovodičové súčiastky, v ktorých dochádza k prúdovému zosilneniu sa nazývajú a) diódy b) rezistory c) tranzistory

c.)

Pomer kritického prúdu IC a prierezu S supravodiča sa nazýva a) kritická prúdová plocha b) kritický prúdový objem c) kritická prúdová hustota

c.)

Povrchová koncentrácia dopujúcich atómov zabudovaných pomocou difúznej technológie závisí na a) intenzite elektrického poľa a stratového činiteľa dopujúcej látky b) čistote a rovinnosti substrátu, ako aj na izolačných vlastnostiach c) type, teplote a tlaku dopantov a na teplote substrátu

c.)

Pri výrobe monokryštálu Czochralského metódou používame: a) technický kyslík v komore s taveninou b) vodné roztoky daného polovodičového materiálu c) inertné plyny alebo vákuum v komore s taveninou

c.)

Pri výrobe monokryštálu vyťahovaním z taveniny: a) zárodok kryštálu rotuje, ale tavenina je bez pohybu b) rotuje zárodok kryštálu v smere rotácie taveniny c) rotuje zárodok kryštálu proti smeru rotácie taveniny

c.)

Pri zapojení PN priechodu v závernom smere obvodom prúd a) prechádza b) rastie, ak rastie napätie c) neprechádza

c.)

Pružná polarizácia predstavuje posunutie viazaného kladného náboja a) v smere elektrického poľa b) nezáleží na smere elektrického poľa, nakoľko viazaný kladný náboj ostáva v stabilnej polohe c) proti smeru elektrického poľa

c.)

Príprava východzieho materiálu pre výrobu polovodičových čipov zahŕňa a) naparovanie a naprašovanie prímesí b) elektromagnetické odlučovanie nečistôt z kvapalnej fázy c) chemické a fyzikálne metódy čistenia

c.)

Relatívna permeabilita feromagnetika je závislá od: a) elektrickej inzenzity a rezistivity b) elektrickej kapacity a hustoty materiálu c) intenzity magnetického poľa a teploty

c.)

Relatívna permitivita a) je makroskopická veličina charakterizujúca schopnosť viesť elektrický prúd u izolantu b) závisí od magnetickej indukcie c) vyjadruje schopnosť materiálu polarizovať sa

c.)

Relaxačná polarizácia je: a) rýchleho priebehu b) bezstratová c) pomalého priebehu

c.)

Reálne izolanty a) neobsahujú voľné nosiče náboja b) obsahujú pomerne určité množstvo voľných nosičov náboja bez vplyvu na elektrickú vodivosť c) obsahujú určité množstvo nosičov nábojov, preto majú merateľnú rezistivitu resp. konduktivitu

c.)

S rastom teploty pohyblivosť elektrónov v kovoch: a) rastie b) nemení sa c) klesá

c.)

S rastom teploty u feroelektrík relatívna permitivita: a) po dosiahnutie Curieho teploty lineárne klesá b) lineárne klesá c) najprv stúpa a po dosiahnutí Curieho teploty klesá

c.)

S rastom tlaku sa šírka zakázaného pásma a) zužuje. b) nemení. c) rozširuje.

c.)

Seebeckov jav je: a) magnetostrikcia v polovodiči, ak v ňom existuje teplotný gradient b) vznik termomagnetického poľa v polovodičoch c) vznik termoelektrického napätia v látke, pozdĺž ktorej existuje teplotný gradient

c.)

Spontánna polarizácia je typická pre: a) všetky dielektriká b) feromagnetiká c) feroelektriká

c.)

Straty v magnetických materiáloch sú sprevádzené a) v dôsledku nesprávneho použitia b) nárastom relatívnej permeability c) oteplením materiálu

c.)

Straty v magnetických materiáloch vznikajú a) v dôsledku nesprávneho použitia b) iba pri Curieho teplote c) pri procese premagnetovania magnetických materiálov v striedavom poli

c.)

Supravodivosť bola prvý krát pozorovaná v roku 1911 u a) cínu b) medi c) ortuti

c.)

Supravodivosť je pokles rezistivity niektorých kovov a zliatin pri teplote: a) blízkej 0°C b) nad 273,15°C c) podkritickej pre daný materiál

c.)

Supravodič je látka, ktorá pri určitej teplote a) mení svoju kryštalickú štruktúru b) zvýši svoj odpor dvojrádovo c) skokovo stráca elektrický odpor o niekoľko rádov

c.)

Suscebtibilita a relatívna permeabilita sú v prípade feromagnetického materiálu a) nízke a nezávislé od teploty a magnetického poľa b) nezávislé od teploty a magnetického poľa c) vysoké, silne závisle od teploty a intenzity magnetického poľa

c.)

Technológia MESA využíva v svojom procese a) epitaxiu z kvapalnej fázy b) iónovú implantáciu c) difúziu a legovanie

c.)

Teplota nasýtenia prímesových polovodičov je: a) teplota, pri ktorej sú všetky prímesi ionizované b) teplota, pri ktorej dochádza k prudkému zníženiu vodivosti polovodiča c) teplota, pri ktorej sa začínajú na vodivosti podieľať aj lokalizované elektróny a diery vlastného polovodiča

c.)

Teplota, pri ktorej prechádza materiál do supravodivého stavu, sa nazýva a) supravodivá teplota b) prechodová teplota c) kritická teplota

c.)

Tranzistor pozostáva a) z 1 PN priechodu b) z 3 PN priechodov c) z 2 PN priechodov

c.)

Tranzistorový jav a) je usmerňujúci jav na PN priechode, b) je termomagnetický jav v polovodičoch c) zosilňujúci jav v polovodičoch

c.)

U elektroluminiscenčného javu následkom pôsobenia elektrického poľa dochádza k a) vyžarovaniu elektrónov b) vyžarovaniu iónov c) vyžarovaniu EMG žiarenia

c.)

U prímesových polovodičov sa na prenose náboja podieľajú v závislosti na type polovodiča a) ionizované akceptory alebo ionizované donory b) ionizované dipóly c) prevažne elektróny, resp. diery vlastného polovodiča

c.)

V iónových kryštalických látkach sa vyskytuje polarizácia a) elektrónová a iónová relaxačná b) elektrónová a spontánna c) elektrónová a iónová pružná

c.)

V nepolárnych kvapalných izolantoch sa vyskytuje iba: a) medzivrstvová polarizácia b) rezonančná polarizácia c) elektrónová polarizácia

c.)

V nepolárnych kvapalných izolantoch sa vyskytujú iba: a) polarizačná dielektrické straty b) tepelné straty c) vodivostné dielektrické straty

c.)

V prípade kvapalných izolantov existuje oblasť nesamostatnej vodivosti a) v oblasti nárazovej ionizácie b) v silných elektrických poliach c) slabých elektrických poliach

c.)

V technickej praxi sú využívané predovšetkým a) dvoj- a viaczložkové polovodiče b) vlastné polovodiče c) prímesové polovodiče

c.)

Veľkosť relatívnej permitivity závisí od a) frekvencie, kvality vyhotovenia napájacích obvodov a kontaktného odporu b) teploty, frekvencie, kvality vyhotovenia napájacích obvodov c) charakteru polarizačných procesov, teploty, frekvencie

c.)

Vnútorný fotoelektrický jav možno definovať ako a) absorpciu energie dopadajúceho žiarenia voľnými nosičmi náboja kryštálu polovodiča b) emisiu fotónov v dôsledku dopadajúcich voľných nosičov náboja c) uvoľnenie elektrónov látky z valenčného do vodivostného pásma v dôsledku jej ožiarenia

c.)

Vodivostné pásmo sa v pásmovom modeli tuhej látky nachádza a) pod zakázaným pásmom b) pod valenčným pásmom c) nad zakázaným pásmom

c.)

Vodiče sú materiály, u ktorých vodivosť sprostredkovaná a) pohybom protónov. b) pohybom atómov. c) pohybom elektrónov.

c.)

Vonkajší fotoelektrický jav možno definovať ako a) emisiu fotónov v dôsledku dopadajúcich voľných nosičov náboja - alebo toto b) absorpciu energie dopadajúceho žiarenia voľnými nosičmi náboja kryštálu polovodiča c) výstup elektrónov z látky v dôsledku jej ožiarenia

c.)

Vyberte správne tvrdenie: intenzita elektrického poľa priechodu PN intenzita elektrického poľa prechodu PN intenzita elektrického poľa prechodu PN a) ak kladnú svorku zdroja pripojíme k polovodiču typu N a zápornú svorku k polovodiču typu P potom sa zväčší b) ak kladnú svorku zdroja pripojíme k polovodiču typu P a zápornú svorku k polovodiču typu N potom sa zväčší c) ak kladnú svorku zdroja pripojíme k polovodiču typu N a zápornú svorku k polovodiču typu P potom sa zmenší

c.)

Vzácne plyny sú charakteristické tým, že sú a) chemicky nestabilné b) chemicky najreaktívnejšie c) chemicky inertné

c.)

Vzťah medzi izolantom a dielektrikom je nasledovný: a) izolant a dielektrikum sú rovnaké označenia toho istého materiálu b) každé dielektrikum je súčasne izolantom, avšak nie každý izolant je dielektrikom c) každý izolant je súčasne dielektrikom, avšak nie každé dielektrikum je izolantom

c.)

Výhodou iónovej implantácie je a) umiestnenie všetkých vývodov v jednej rovine b) nízka cena použitej technológie c) možnosť prenikania iónov cez vrstvu SiO2

c.)

Zohrievanie vodičov pri vysokých hodnotách prúdov je spôsobené v dôsledku toho, že: a) elektróny získajú časť energie jadra atómu. b) elektróny pokračujú vo svojom pohybe bez zmeny energie. c) elektróny odovzdávajú časť svojej energie, čím sa zvyšujú tepelné kmity mriežky.

c.)

Závislosti magnetickej indukcie B od intenzity magnetického poľa H sa nazývajú aj a) Prechodové charakteristiky b) Fázové prechody c) Magnetizačné krivky

c.)

Činiteľ dielektrických strát je daný: a) súčtom činnej a jalovej zložky prúdu b) rozdielom činnej a jalovej zložky prúdu c) pomerom činnej a jalovej zložky prúdu

c.)

Šírka zakázaného pásma ( Wz) izolantov je a) < 3 eV b) > 0,7 eV c) > 3 eV

c.)

Šírka zakázaného pásma tuhej látky a) je konštantná pre všetky materiály pri izbovej teplote b) prejavuje sa iba v stave energetickej rovnováhy c) je závislá od štruktúry materiálu

c.)

Žiadne dve susedné domény v štruktúre feromagnetických materiálov sa nedotýkajú bezprostredne, ale sú oddelené a) Weissovou stenou b) Curieho stenou c) Blochovou stenou

c.)